Datasheet下载- 型号： FQB6N60CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N60CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB6N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB6N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为FQB6N60CTM的ON Semiconductor产品是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高压、高功率开关器件，常用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源转换电路中，实现高效能功率开关功能。 2. 开关电源（SMPS）：在各类工业电源、服务器电源中作为主开关器件，用于提高能效和减小体积。 3. LED照明驱动：用于高亮度LED照明系统的电源管理，提供稳定和高效的电流控制。 4. 电机控制：在电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）中的电机驱动电路中用作功率开关。 5. 新能源应用：如太阳能逆变器、电动车充电设备中，作为功率转换的核心元件。 该器件具有600V耐压、低导通电阻、高开关速度等特点，适合高频、高效电源设计。其封装形式（如TO-220或类似）便于散热，适用于多种通用和工业级应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB6N60CTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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