ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN1R0-30YLDX
Datasheet下载- 型号： PSMN1R0-30YLDX
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R0-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R0-30YLDX价格参考￥3.81-￥3.81。NXP SemiconductorsPSMN1R0-30YLDX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN1R0-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R0-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R0-30YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效能功率管理的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，因其低导通损耗可提升转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具和家用电器的电机驱动电路中，该 MOSFET 可实现快速开关和低功耗运行，提高系统响应速度与能效。 3. 负载开关与热插拔应用：凭借其快速响应特性和高可靠性，适合用作电源路径中的电子开关，保护电路免受浪涌电流冲击，常见于电信设备和工业主板设计。 4. 电池供电设备：如便携式医疗设备、移动电源等，利用其高效率特性延长电池续航时间。 5. 汽车电子系统：虽然非车规级主控器件，但在部分车载辅助电源或低压功率管理模块中也有应用潜力。 该器件采用 LFPAK56（PowerSO-8）封装，具备优良的散热性能和可靠性，适合自动化生产，广泛应用于消费电子、工业控制和通信基础设施等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PSMN1R0-30YLDX |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5732pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.02 毫欧 @ 25A， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 934068234115 |
| 功率-最大值 | 238W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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