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  • 型号: NVB5860NT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVB5860NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVB5860NT4G价格参考。ON SemiconductorNVB5860NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVB5860NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVB5860NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为NVB5860NT4G的MOSFET属于安森美半导体(ON Semiconductor)的产品,是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换与控制的场景。

该器件主要应用于以下领域:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等对效率和热管理要求较高的系统。

2. 马达控制:用于无刷直流马达驱动、电动工具、风扇控制等场景,具备快速开关能力和低导通电阻,有助于提高控制精度和能效。

3. 电池供电设备:常见于便携式电子产品如移动电源、无人机、智能硬件等,其低功耗特性有助于延长电池续航时间。

4. 工业自动化:用于PLC模块、工业电源、传感器供电系统中,具备良好的稳定性和耐久性,适应复杂工业环境。

5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,可用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景,满足汽车应用的可靠性要求。

该MOSFET采用TO-252封装,具有低导通电阻、高电流能力和良好热性能,适合表面贴装,适用于中高功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NVB5860NT4G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10760pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

180nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 75A,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

283W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

220A (Tc)

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