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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVB5860NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVB5860NT4G价格参考。ON SemiconductorNVB5860NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVB5860NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVB5860NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NVB5860NT4G的MOSFET属于安森美半导体(ON Semiconductor)的产品,是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换与控制的场景。 该器件主要应用于以下领域: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等对效率和热管理要求较高的系统。 2. 马达控制:用于无刷直流马达驱动、电动工具、风扇控制等场景,具备快速开关能力和低导通电阻,有助于提高控制精度和能效。 3. 电池供电设备:常见于便携式电子产品如移动电源、无人机、智能硬件等,其低功耗特性有助于延长电池续航时间。 4. 工业自动化:用于PLC模块、工业电源、传感器供电系统中,具备良好的稳定性和耐久性,适应复杂工业环境。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,可用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景,满足汽车应用的可靠性要求。 该MOSFET采用TO-252封装,具有低导通电阻、高电流能力和良好热性能,适合表面贴装,适用于中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVB5860NT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 283W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 220A (Tc) |