Datasheet下载- 型号： FDT86106LZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86106LZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86106LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86106LZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDT86106LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDT86106LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT86106LZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FDT86106LZ 常用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及开关电源（SMPS）中。其低 Rds(on) 特性能够减少传导损耗，提高效率，适合笔记本电脑适配器、智能手机充电器和其他消费电子设备的电源管理系统。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关能力和低功耗特性使其成为高效电机控制的理想选择，适用于家用电器（如风扇、吸尘器）和工业自动化设备。 3. 电池保护与管理 在锂电池或其他可充电电池组中，FDT86106LZ 可用作充放电路径的开关元件，实现过流保护、短路保护和负载切换功能。它还适用于电动车、电动工具和 UPS 系统中的电池管理系统。 4. 负载开关 作为负载开关，FDT86106LZ 能够在系统启动或关闭时快速接通或断开负载，同时减少功率损耗。这在便携式设备（如平板电脑、智能手机）中尤为重要。 5. 通信设备 在路由器、交换机和其他网络设备中，该 MOSFET 可用于电源分配和信号隔离，确保系统的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子 FDT86106LZ 的紧凑封装和高效性能使其适用于汽车电子应用，例如车载信息娱乐系统、LED 照明驱动和车身控制模块。 总之，FDT86106LZ 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，满足各种高效能和低功耗需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86106LZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDT86106LZ |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W |
| Qg-栅极电荷 | 4.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 108 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 108 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 315pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 108 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FDT86106LZ-ND |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 250.200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
| 系列 | FDT86106LZ |
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