ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF9540NPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF9540NPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9540NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9540NPBF价格参考￥2.68-￥5.73。International RectifierIRF9540NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 100V 23A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF9540NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9540NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF9540NPBF是一款单通道P沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它广泛应用于多种电力电子设备和电路设计中，主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：IRF9540NPBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功耗，提高效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，控制电流的通断，实现电压调节。 2. 电机驱动：该型号MOSFET适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机等。它可以精确地控制电机的启动、停止及速度变化，确保电机运行稳定可靠。 3. 负载切换与保护：在一些需要频繁切换负载的应用场景下，例如汽车电子、工业自动化控制系统中，IRF9540NPBF可以快速响应并安全地切断或接通电路，同时具备过流保护功能，防止因过载导致的损坏。 4. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、家用电器变频控制器等领域，此款MOSFET凭借其优良的开关性能和耐压能力，成为关键组件之一，有助于提升系统的整体性能。 5. 电池管理系统：用于锂电池组等储能装置中的充放电控制，通过精准调控充电电流和放电路径，保障电池的安全性和使用寿命。 总之，IRF9540NPBF凭借其出色的电气参数和可靠性，在各类电力电子设备中扮演着重要角色，尤其适合对效率、响应速度有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 23A TO-220ABMOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 23 A |
| Id-连续漏极电流 | - 23 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9540NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9540NPBF |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 64.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 64.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 117 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 117 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 97nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 117 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9540NPBF |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 117 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 64.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | - 23 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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