数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX120N30P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX120N30P3价格参考。IXYSIXFX120N30P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFX120N30P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFX120N30P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFX120N30P3是一款功率MOSFET器件,属于晶体管中的FET分类。该器件具有高电流、高频率和低导通电阻的特点,适用于需要高效功率转换的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,提供高效、稳定的功率输出。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备中的电机控制电路,实现对电机速度与方向的精准调节。 3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。 4. 电动汽车系统:用于车载充电器或电驱系统中的功率控制模块。 5. 工业控制系统:如伺服驱动器、自动化控制设备中的高频开关应用。 该器件采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适合高功率密度设计,广泛应用于高效率、高频开关场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 300V 120A TO-247MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX120N30P3Polar3™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFX120N30P3 |
Pd-PowerDissipation | 1130 W |
Pd-功率耗散 | 1.13 kW |
Qg-GateCharge | 150 nC |
Qg-栅极电荷 | 150 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8630pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 60A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
典型关闭延迟时间 | 60 ns |
功率-最大值 | 1130W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 27 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | PLUS 247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 54 S |
汲极/源极击穿电压 | 300 V |
漏极连续电流 | 120 A |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | IXFX120N30 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |