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产品简介:
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安森美半导体(ON Semiconductor)的NTHS2101PT1G是一款P沟道增强型MOSFET,常用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理应用。该器件采用1.2V栅极驱动,适用于低电压、高效率的电池供电系统。 典型应用场景包括: 1. 负载开关与电源管理:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源切换,控制外设或模块的供电,降低待机功耗。 2. 电池供电设备:在电池管理系统中作为高边或低边开关,实现对电池充放电路径的控制。 3. DC-DC转换器:适用于同步整流器或低电压转换电路,提升转换效率。 4. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机、继电器或电磁阀的控制,提供快速开关和低导通损耗。 5. 工业控制系统:如PLC、传感器模块和自动化设备中,用于信号通路切换或电源控制。 该MOSFET采用小型封装(如TSOP),适合空间受限的设计,具备良好的热性能和可靠性,适合中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CHAN SGL 8V CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHS2101PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 6.4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 5.4A,4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHS2101PT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Tj) |