【未分类_RFP12N10L】封装/厂家_RFP12N10L中文资料_价格

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型号： RFP12N10L
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RFP12N10L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFP12N10L价格参考。Fairchild SemiconductorRFP12N10L封装/规格：未分类，暂无。您可以下载RFP12N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFP12N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RFP12N10L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景广泛，适用于多种电力电子系统和电路设计，以下是一些典型的应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - RFP12N10L 可用作开关电源中的功率开关，适用于降压、升压或反激式转换器。
   - 其低导通电阻 (Rds(on)) 和高击穿电压 (100V) 使其适合高效能的 DC-DC 转换应用。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中，RFP12N10L 可作为功率开关或 H 桥电路的一部分，用于控制电机的启停、转向和速度调节。

 3. 负载切换
   - 用于负载切换电路中，实现对负载的快速开启和关闭，例如 LED 照明、汽车电子设备或其他需要动态控制的负载。

 4. 电池管理
   - 在电池管理系统 (BMS) 中，RFP12N10L 可用于保护电路，防止过流、短路或反向电流损坏电池组。
   - 还可作为电池充电路径的开关，确保充电过程的安全性。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器中，RFP12N10L 可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变器应用。

 6. 音频放大器
   - 在 D 类音频放大器中，RFP12N10L 可用作输出级开关，提供高效的音频信号放大功能。

 7. 工业控制
   - 用于工业自动化设备中的继电器替代方案，减少机械磨损并提高可靠性。
   - 在 PLC（可编程逻辑控制器）中，作为输出驱动元件控制外部负载。

 8. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中，如电动窗户、雨刷器、座椅调节等，RFP12N10L 可作为功率开关，控制这些系统的运行。

 总结
RFP12N10L 凭借其出色的电气性能（如低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度）以及紧凑的封装形式（TO-263），非常适合应用于需要高效功率转换和可靠开关控制的场合。在选择具体应用场景时，需根据实际工作条件（如电压、电流、频率等）进行详细评估以确保其正常运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 12A TO-220ABMOSFET TO-220AB N-Ch Power
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	12 A
Id-连续漏极电流	12 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFP12N10L-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	RFP12N10L
Pd-PowerDissipation	60 W
Pd-功率耗散	60 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	200 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	200 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 10 V
Vgs-栅源极击穿电压	10 V
上升时间	70 ns
下降时间	80 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	200 毫欧 @ 12A，5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
典型关闭延迟时间	100 ns
功率-最大值	60W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	400
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Tc）
系列	RFP12N10
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	RFP12N10L_NL

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