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SI1499DH-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1499DH-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1499DH-T1-E3价格参考。VishaySI1499DH-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 8V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1499DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1499DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1499DH-T1-E3是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 SI1499DH-T1-E3常用于电源管理电路中,特别是在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和线性稳压器等应用中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高电流下保持较低的功耗,从而提高电源效率并减少发热。 2. 电机驱动 在电机控制领域,尤其是小型直流电机或步进电机的驱动电路中,SI1499DH-T1-E3可以作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低损耗有助于提高电机驱动系统的响应速度和能效。 3. 电池管理系统 该MOSFET适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制。它能够精确地控制电池的充放电路径,防止过充、过放以及短路等异常情况的发生。此外,其低导通电阻也有助于减少电池内部的能耗。 4. 负载开关 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备,SI1499DH-T1-E3可以用作负载开关,实现对不同负载的快速切换。通过控制MOSFET的栅极电压,可以在需要时迅速切断或接通电流,以节省能源并保护电路免受过流损坏。 5. 信号切换与保护 在通信设备和工业控制系统中,SI1499DH-T1-E3可用于信号切换和保护电路。它可以作为高速开关,在不同的信号路径之间进行切换,同时提供过流、过热等保护功能,确保系统的稳定性和安全性。 6. LED驱动 在LED照明系统中,SI1499DH-T1-E3可以用于驱动高亮度LED。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够有效地调节LED的亮度,并且在调光过程中保持较高的能效。 总的来说,SI1499DH-T1-E3凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制和信号切换的场合,特别适合对功耗和空间有严格要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6MOSFET 8.0V 1.6A 2.78W 78 mohms @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73338 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1499DH-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1499DH-T1-E3SI1499DH-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 78 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 78 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 78 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
| 其它名称 | SI1499DH-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 46 ns |
| 功率-最大值 | 2.78W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/MOSFET.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1499DH-E3 |