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产品简介:
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DMN3032LE-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号因其低导通电阻(Rds(on))和小封装尺寸而适用于多种电子应用场景,主要包括以下领域: 1. 电源管理: DMN3032LE-13 的低导通电阻特性使其非常适合用于高效能的开关应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理电路。它能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。 2. 便携式设备: 由于其小型化的封装(如 SOT-23 或更小尺寸),该器件常用于空间受限的便携式设备中,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网 (IoT) 设备。 3. 电机驱动: 在小型电机控制中,DMN3032LE-13 可作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低功耗性能有助于优化电机驱动电路。 4. 信号切换: 在音频、视频或数据信号切换电路中,该 MOSFET 可用作模拟开关,提供低失真和高可靠性的信号传输。 5. 保护电路: DMN3032LE-13 常用于过流保护、短路保护和反向电池保护等电路中,确保系统在异常条件下安全运行。 6. 消费电子产品: 广泛应用于充电器、适配器、USB 集线器和其他消费类电子产品中,提供高效的电源管理和保护功能。 总之,DMN3032LE-13 凭借其高性能和紧凑设计,成为现代电子设备中不可或缺的组件之一,尤其适合需要高效率、低功耗和小型化解决方案的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | - |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN3032LE-13 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 498pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 3.2A, 10V |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | DMN3032LE-13DIDKR |
功率-最大值 | 14W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.6A (Ta) |