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  • 型号: DMN3032LE-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3032LE-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3032LE-13价格参考。Diodes Inc.DMN3032LE-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3032LE-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3032LE-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMN3032LE-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号因其低导通电阻(Rds(on))和小封装尺寸而适用于多种电子应用场景,主要包括以下领域:

1. 电源管理:  
   DMN3032LE-13 的低导通电阻特性使其非常适合用于高效能的开关应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理电路。它能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。

2. 便携式设备:  
   由于其小型化的封装(如 SOT-23 或更小尺寸),该器件常用于空间受限的便携式设备中,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网 (IoT) 设备。

3. 电机驱动:  
   在小型电机控制中,DMN3032LE-13 可作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低功耗性能有助于优化电机驱动电路。

4. 信号切换:  
   在音频、视频或数据信号切换电路中,该 MOSFET 可用作模拟开关,提供低失真和高可靠性的信号传输。

5. 保护电路:  
   DMN3032LE-13 常用于过流保护、短路保护和反向电池保护等电路中,确保系统在异常条件下安全运行。

6. 消费电子产品:  
   广泛应用于充电器、适配器、USB 集线器和其他消费类电子产品中,提供高效的电源管理和保护功能。

总之,DMN3032LE-13 凭借其高性能和紧凑设计,成为现代电子设备中不可或缺的组件之一,尤其适合需要高效率、低功耗和小型化解决方案的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

-

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DMN3032LE-13

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

498pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 3.2A, 10V

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

DMN3032LE-13DIDKR

功率-最大值

14W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.6A (Ta)

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