Datasheet下载- 型号： FCD4N60TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD4N60TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD4N60TF价格参考。Fairchild SemiconductorFCD4N60TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCD4N60TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCD4N60TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD4N60TF 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款单通道 MOSFET 晶体管。该型号属于 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高电压和低导通电阻的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FCD4N60TF 适合用于开关电源中的高频开关元件。其耐压高达 600V，能够承受高压环境，同时具备较低的导通电阻 (Rds(on))，有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动 在直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机驱动中，该 MOSFET 可用作功率级开关，控制电机的转速和方向。其快速开关特性和低损耗特性使其成为高效电机驱动的理想选择。 3. 逆变器电路 该器件可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，将直流电转换为交流电。其高耐压能力确保在高压环境下稳定运行，而低 Rds(on) 则降低了能量损耗。 4. DC-DC 转换器 在降压或升压 DC-DC 转换器中，FCD4N60TF 可作为主开关或同步整流器使用。它支持高频率操作，并能有效降低热耗散，提升整体转换效率。 5. 负载开关与保护电路 该 MOSFET 可用作负载开关，控制电路的通断状态。此外，它还可应用于过流保护、短路保护等场合，确保系统安全运行。 6. 电池管理系统 (BMS) 在电动汽车 (EV) 或储能系统的电池管理中，FCD4N60TF 可用于充放电控制、均衡电路以及保护功能，保障电池组的安全性和可靠性。 7. 工业自动化设备 包括 PLC 控制器、继电器驱动、传感器接口等工业应用中，该 MOSFET 能提供高效的开关性能和稳定的电气特性。 总结来说，FCD4N60TF 凭借其高耐压、低导通电阻及优异的开关性能，广泛应用于电力电子领域的各种高效能需求场景中，如开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FCD4N60TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FCD4N60TFDKR |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A （Tc） |
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