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Datasheet下载- 型号： IRLML6401TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRLML6401TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6401TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6401TRPBF价格参考￥0.35-￥0.47。International RectifierIRLML6401TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML6401TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLML6401TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLML6401TRPBF 是一款N沟道MOSFET，属于低压、低导通电阻的功率MOSFET，广泛应用于便携式和电池供电设备中。其主要应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源管理与负载开关；用于LED驱动电路，实现高效、低功耗的照明控制；在电池保护电路（如锂电池保护板）中作为开关元件，提供过流和短路保护；适用于各类DC-DC转换器和同步整流电路，提高电源转换效率。此外，该器件也常用于电机驱动模块，特别是微型直流电机或步进电机的控制，因其低栅极电荷和快速开关特性，有助于减少开关损耗。IRLML6401TRPBF采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，因此在空间受限的便携设备中尤为受欢迎。其最大耐压为20V，连续漏极电流可达5.4A，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、智能家居设备和USB电源开关等场景。总之，该MOSFET凭借低导通电阻、小封装和高效率，成为众多低电压、中等电流开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML6401TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML6401TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | *IRLML6401TRPBF |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 10 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 漏极连续电流 | - 4.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml6401.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml6401.spi |
| 闸/源击穿电压 | 8 V |
