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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJS3157NT2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJS3157NT2G价格参考。ON SemiconductorNTJS3157NT2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTJS3157NT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJS3157NT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJS3157NT2G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于以下应用场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等电路中,实现高效能电能转换与分配。 2. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携式电子产品中,作为低导通电阻开关以提升能效。 3. 电机控制:在小型直流电机或步进电机驱动电路中用作功率开关,支持快速开关操作。 4. 工业自动化:用于PLC模块、传感器接口及继电器替代方案,提供可靠且耐用的电子开关功能。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适合车载系统如车身控制模块、LED照明驱动及车载充电器等应用。 该器件采用TSOP封装,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压特性(Vds=30V),适合高频开关场合,并有助于减小整体电路尺寸。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTJS3157NT2G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 400mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 4A,4.5V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Ta) |