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Datasheet下载- 型号： IRFS3607TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3607TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3607TRLPBF价格参考￥3.30-￥4.73。International RectifierIRFS3607TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS3607TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3607TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFS3607TRLPBF 是一款单N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机控制：用于工业自动化设备、电动工具和汽车中的直流电机驱动电路。 3. 电池管理系统（BMS）：在新能源汽车或储能系统中，用于电池充放电控制与保护。 4. 照明系统：如LED驱动器，尤其在需要调光和高效能的场合。 5. 消费类电子产品：例如智能家电、变频空调中的功率控制模块。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（60V）、封装小巧、适合表面贴装等优点，适用于高频开关应用，有助于提升系统效率并减小整体尺寸。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKMOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3607TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3607TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.34 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.34 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3070pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 46A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS3607TRLPBFCT |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.34 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 56 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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