Datasheet下载- 型号： NP82N055PUG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N055PUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N055PUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N055PUG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP82N055PUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP82N055PUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的型号NP82N055PUG-E1-AY是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET类别。该器件主要应用于需要高效、高速开关性能的电源管理系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，用于提高能量转换效率。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器或工业自动化设备中作为开关元件。 3. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源分配，如笔记本电脑、平板和智能手机。 4. 照明系统：如LED驱动电路中实现调光与开关控制。 5. 汽车电子：适用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压特性，适合中高功率应用，并有助于减少发热和提升系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP82N055PUG-E1-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 41A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 其它名称 | NP82N055PUG-E1-AY-ND |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 82A （Tc） |
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