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  • 型号: IRF3708SPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3708SPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3708SPBF价格参考。International RectifierIRF3708SPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF3708SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3708SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF3708SPBF的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。该器件主要应用于以下场景:

1. 电源管理:常见于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。

2. 电池管理系统:用于电池供电设备中的电源切换和保护,如电动工具、无人机、便携式医疗设备等。

3. 电机控制:在小型电机驱动器、电动车辆辅助系统和工业自动化设备中,用于实现高效能的功率开关控制。

4. 负载开关与电源分配:因其低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合用于多路电源分配系统和热插拔电路。

5. 消费类电子产品:如电源适配器、充电器和智能家电中,作为高效能开关元件使用。

该MOSFET具有优良的热稳定性和高耐用性,适合在紧凑型设计中使用,尤其适用于需要高效散热和空间受限的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 62A D2PAKMOSFET MOSFT 30V 62A 12mOhm 24nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

62 A

Id-连续漏极电流

62 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3708SPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF3708SPBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

87 W

Pd-功率耗散

87 W

Qg-GateCharge

24 nC

Qg-栅极电荷

24 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

13.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

13.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2417pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

*IRF3708SPBF

功率-最大值

87W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

62A (Tc)

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