ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STD12NM50ND
Datasheet下载- 型号： STD12NM50ND
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STD12NM50ND产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD12NM50ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD12NM50ND价格参考。STMicroelectronicsSTD12NM50ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 11A（Tc） 100W（Tc） DPAK。您可以下载STD12NM50ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD12NM50ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STD12NM50ND是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器等，因其具备低导通电阻和高耐压特性，有助于提升电源效率并降低发热。 2. 电机驱动：常用于工业自动化设备和电动工具中的电机控制电路，作为高效开关元件使用。 3. 照明系统：在LED照明或高压气体放电灯（如HID灯）驱动电路中，用作功率开关以实现调光和节能功能。 4. 家电控制：如电磁炉、洗衣机、空调等家用电器中，用于负载开关或逆变器模块，提高能效与系统稳定性。 5. 新能源领域：可用于太阳能逆变器、储能系统等场合，支持绿色能源转换与管理。 该MOSFET具有较高的耐用性和良好的热性能，适合在中高功率应用中使用，是工业与消费类电子产品中常见的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STD12NM50ND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-10020-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF217080?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
