Datasheet下载- 型号： IXFK27N80Q
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK27N80Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK27N80Q价格参考。IXYSIXFK27N80Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK27N80Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK27N80Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司的IXFK27N80Q是一款N沟道MOSFET晶体管，属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单”类别。其主要应用场景包括以下几类： 1. 开关电源（SMPS）： IXFK27N80Q具有低导通电阻和高击穿电压（800V），适合用于开关电源中的功率开关，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器以及PFC（功率因数校正）电路。其快速开关特性和耐高压能力使其在这些应用中表现出色。 2. 电机驱动与控制： 该器件可用于工业自动化设备中的电机驱动电路，如步进电机、伺服电机和直流电机的驱动控制。其高电流处理能力和快速切换速度能够满足高效电机控制的需求。 3. 逆变器和变频器： 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和变频器中，IXFK27N80Q可以用作功率级开关，提供高效的能量转换和稳定的输出性能。 4. 脉宽调制（PWM）电路： 由于其优异的开关特性，该MOSFET适用于各种PWM控制电路，例如LED驱动器、音频放大器和其他需要精确占空比调节的应用。 5. 负载切换和保护电路： 在汽车电子、通信设备和其他需要负载切换或过流保护的场合，IXFK27N80Q可以作为高效的开关元件，实现快速响应和可靠保护。 6. 高压应用： 其800V的额定电压使得IXFK27N80Q非常适合高压环境下的应用，例如电动工具、家电设备和工业设备中的高压电路。 总结来说，IXFK27N80Q凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力，广泛应用于电力电子领域中的各类功率转换和控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK27N80QHiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK27N80Q |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 320 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 320 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
| 系列 | IXFK27N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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