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  • 型号: NTJS4405NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTJS4405NT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJS4405NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJS4405NT1G价格参考。ON SemiconductorNTJS4405NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 1A(Ta) 630mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJS4405NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJS4405NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTJS4405NT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):NTJS4405NT1G 的低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - 直流-直流转换器:在降压或升压转换器中,该器件可用作主开关或同步整流器,以提高效率并降低功耗。
   - 负载开关:由于其低导通电阻和小封装尺寸,可以作为负载开关用于便携式设备中,实现高效的电流控制。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动,例如风扇、泵或玩具电机。
   - H 桥电路:在需要双向控制的小功率电机应用中,该 MOSFET 可用作 H 桥的一部分。

 3. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻和高电流能力,可以在设计中实现过流保护功能。
   - 短路保护:结合外部检测电路,可用于防止负载短路对系统造成损害。

 4. 电池管理
   - 电池充电电路:在锂电池或镍氢电池充电器中,可以用作充电路径的控制开关。
   - 放电保护:在电池组中,该 MOSFET 可用于防止过度放电,延长电池寿命。

 5. 信号切换
   - 音频信号切换:在音频设备中,可用于切换不同的输入或输出信号。
   - 数据信号切换:在 USB 或其他低电压接口中,可以用作信号切换开关。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车灯控制、电动座椅调节等低功率应用。
   - 辅助系统:用于雨刷器、电动车窗等小型电机驱动。

 7. 消费电子产品
   - 智能手机和平板电脑:作为负载开关或电源管理的一部分。
   - 笔记本电脑适配器:用于适配器内的功率转换电路。
   - 智能家居设备:如智能灯具、温控器等需要高效功率控制的场景。

 总结
NTJS4405NT1G 凭借其出色的性能参数(如低 Rds(on)、高开关速度和紧凑封装),广泛应用于各种低功率、高效率需求的场景中,特别适合消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363MOSFET 25V 1.2A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.2 A

Id-连续漏极电流

1.2 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJS4405NT1G-

数据手册

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产品型号

NTJS4405NT1G

Pd-PowerDissipation

0.63 W

Pd-功率耗散

630 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

299 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

299 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

4.7 ns

下降时间

4.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

350 毫欧 @ 600mA,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFETs- Power and Small Signal

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

其它名称

NTJS4405NT1GOSCT

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

630mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

299 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-88-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.5 S

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

1.2 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Ta)

系列

NTJS4405N

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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