Datasheet下载- 型号： PSMN013-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN013-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN013-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN013-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN013-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN013-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN013-100PS,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET，适用于高效率、高频率的电源转换和功率控制场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（100V）和良好的热稳定性，适合以下应用场景： 1. DC-DC转换器：用于通信设备、服务器和工业电源中的升压/降压电路，提升能效和功率密度。 2. 同步整流：在开关电源（SMPS）中替代传统二极管，降低导通损耗，提高转换效率。 3. 电机驱动：用于直流电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关和高电流承载能力。 4. 负载开关：实现对高功率负载的高效通断控制，如LED照明、电池管理系统等。 5. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中，支持高频开关操作，减少能量损耗。 该MOSFET采用TISON封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于通信、工业自动化、消费电子及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 68A TO220ABMOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 68 A |
| Id-连续漏极电流 | 68 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN013-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN013-100PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Qg-GateCharge | 59 nC |
| Qg-栅极电荷 | 59 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.6 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3195pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4976-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 52.5 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 68A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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