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  • 型号: PSMN013-100PS,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN013-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN013-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN013-100PS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN013-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN013-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 68A TO220ABMOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

68 A

Id-连续漏极电流

68 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN013-100PS,127-

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产品型号

PSMN013-100PS,127

Pd-PowerDissipation

170 W

Pd-功率耗散

170 W

Qg-GateCharge

59 nC

Qg-栅极电荷

59 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.6 V

上升时间

25 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3195pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

59nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.9 毫欧 @ 15A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-4976-5
934064291127
PSMN013100PS127

典型关闭延迟时间

52.5 ns

功率-最大值

170W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

68A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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