ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPB06N03LA
Datasheet下载- 型号： IPB06N03LA
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IPB06N03LA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB06N03LA由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB06N03LA价格参考。InfineonIPB06N03LA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2。您可以下载IPB06N03LA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB06N03LA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPB06N03LA是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道功率MOSFET，常用于高效能、高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐流能力和优良的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。 应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，提升电源转换效率，广泛应用于服务器、通信设备和工业电源。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制，如电动工具、风扇、泵类设备中的驱动电路。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，保护电路中作为开关元件。 4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等，满足汽车系统对可靠性和效率的要求。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑、智能家电、电源适配器等，实现高效能、小型化设计。 IPB06N03LA采用PG-TSDSO-8封装，适合表面贴装，便于自动化生产，适用于高密度电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB06N03LA_Rev1.6_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429d2454204 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB06N03LA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 40µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2653pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB06N03LAINCT |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
