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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF6N80由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF6N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF6N80封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF6N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF6N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF6N80是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效开关性能的电源管理系统中。 FQPF6N80主要特点包括高耐压(800V)、低导通电阻、高电流容量以及良好的热稳定性,使其适用于多种功率转换和控制场景。常见应用包括: 1. 电源适配器与充电器:用于AC-DC转换电路中,实现高效能的电力转换,适用于笔记本电脑、手机等电子设备的电源系统。 2. LED照明驱动:在高亮度LED驱动电路中作为开关元件,提供稳定电流控制,提升照明效率和寿命。 3. 工业自动化与控制设备:用于电机驱动、继电器替代及工业电源模块中,满足高可靠性与高效率需求。 4. 家电产品:如电磁炉、变频空调等家用电器中的功率控制部分,实现节能与精准控制。 5. 太阳能逆变器:在光伏系统中用于DC-AC转换,提升能量转换效率,支持绿色能源应用。 综上,FQPF6N80凭借其高性能参数和稳定表现,广泛应用于电源管理、消费电子、工业控制及新能源等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF6N80 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.95 欧姆 @ 1.65A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 51W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Tc) |