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- 型号： BFL4001-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4001-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4001-1E价格参考。ON SemiconductorBFL4001-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4001-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4001-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4001-1E是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道MOSFET，属于射频功率晶体管，广泛应用于高频、小信号放大场景。该器件采用先进的硅锗碳（SiGeC）工艺制造，具有高增益、低噪声和优异的线性性能，适用于2.4 GHz至2.5 GHz频段，如Wi-Fi 4（802.11b/g/n）、无线局域网（WLAN）和物联网（IoT）设备。 典型应用场景包括：家庭无线路由器、接入点（AP）、智能家居设备中的射频前端模块，以及工业无线通信系统。其高效率和良好的热稳定性使其在持续发射信号的设备中表现优异。此外，BFL4001-1E也适用于蓝牙增强型设备和短距离无线传输系统，满足对低功耗与高性能兼顾的需求。 该MOSFET采用小型化封装（如SOT-343），节省PCB空间，适合高密度集成设计。由于其出色的射频特性，BFL4001-1E在消费电子、智能网关和无线传感器网络中被广泛采用，是中等功率射频放大应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 4.1A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFL4001-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 3.25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3FS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tc） |
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