Datasheet下载- 型号： UPA2737GR-E1-AT
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UPA2737GR-E1-AT由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UPA2737GR-E1-AT价格参考。RENESAS ELECTRONICSUPA2737GR-E1-AT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载UPA2737GR-E1-AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UPA2737GR-E1-AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
瑞萨电子（Renesas Electronics America）的UPA2737GR-E1-AT是一款MOSFET晶体管，常用于高频功率放大器应用。该器件适用于无线通信系统、基站、射频（RF）模块、工业控制设备以及消费类电子中的射频功率放大场景。其高效率和良好线性性能使其在无线基础设施中表现出色，尤其适合用于4G/5G通信设备中的射频前端模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH -30V -11A 8SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | UPA2737GR-E1-AT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1750pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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