ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR2307ZTRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFR2307ZTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2307ZTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2307ZTRLPBF价格参考。International RectifierIRFR2307ZTRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR2307ZTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR2307ZTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR2307ZTRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRFR2307ZTRLPBF广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够高效地控制电流的开关，降低能量损耗，提高系统的整体效率。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电流下保持较低的功耗，适用于需要大电流输出的应用。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRFR2307ZTRLPBF可以用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电动机控制系统。它能够快速响应并精确控制电机的转速和扭矩，特别适合于家电、工业自动化设备和电动工具等领域。 3. 电池管理系统 该MOSFET还适用于电池管理系统（BMS），特别是在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子设备的电池保护电路中。它可以实现对电池充放电过程的有效控制，确保电池的安全性和延长使用寿命。 4. 逆变器和变频器 IRFR2307ZTRLPBF可用于逆变器和变频器中，帮助将直流电转换为交流电，或改变交流电的频率。这类应用常见于太阳能发电系统、风力发电系统以及工业自动化中的变频调速装置。 5. 负载切换和保护电路 在负载切换和保护电路中，IRFR2307ZTRLPBF可以作为开关元件，用于过流保护、短路保护等功能。它的快速开关特性和低导通电阻使得它能够在短时间内响应异常情况，保护电路免受损坏。 总的来说，IRFR2307ZTRLPBF凭借其出色的电气性能和可靠性，成为多种电力电子应用的理想选择，尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 42A DPAKMOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 53 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR2307ZTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR2307ZTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 32A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2307z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2307z.spi |
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