Datasheet下载- 型号： ZVN4306GVTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4306GVTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4306GVTA价格参考。Diodes Inc.ZVN4306GVTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN4306GVTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4306GVTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN4306GVTA是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于中低功率的开关和放大电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效能开关元件。 2. 电机驱动：用于小型电机、风扇或泵的控制电路，提供快速开关和低导通电阻。 3. LED照明：作为LED驱动电路中的开关器件，实现调光或恒流控制。 4. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）或传感器模块中用于信号切换或功率控制。 5. 消费电子：应用于家电、智能门锁、充电器等产品中，满足小型化和高可靠性需求。 该器件采用TDFN封装，具备低导通电阻（Rds(on)）、高速开关特性和良好的热稳定性，适合需要高效能和紧凑设计的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223MOSFET Avalanche |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4306GVTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4306GVTA |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVN4306GV |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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