Datasheet下载- 型号： STW24N60DM2
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW24N60DM2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW24N60DM2价格参考。STMicroelectronicsSTW24N60DM2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW24N60DM2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW24N60DM2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STW24N60DM2是一款N沟道MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景如下： 1. 开关电源（SMPS） - STW24N60DM2适用于开关模式电源的设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其高耐压（600V）和低导通电阻特性使其在高频开关应用中表现出色，能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于驱动中小功率电机，例如家用电器中的风扇、水泵或电动工具中的无刷直流电机（BLDC）。其快速开关速度和低功耗特性有助于实现高效的电机控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，STW24N60DM2可用作功率级开关器件。它能够处理高压输入，并将直流电转换为交流电，满足能源转换需求。 4. 电磁兼容性（EMC）滤波电路 - 由于其高耐压能力，STW24N60DM2适合用于设计EMC滤波器中的开关元件，以抑制噪声和干扰信号，确保系统的稳定运行。 5. 负载切换 - 在工业自动化设备或汽车电子系统中，这款MOSFET可以作为负载切换开关，用于控制大电流负载的开启与关闭，同时提供过流保护功能。 6. PFC（功率因数校正）电路 - 在需要功率因数校正的应用中，STW24N60DM2可作为主开关器件，帮助提升输入功率因数，减少谐波失真，符合相关能效标准。 7. 电动汽车和混合动力汽车 - 虽然STW24N60DM2不是专为高功率电动车设计，但在一些辅助系统（如电池管理系统、车载充电器等）中，它仍然可以发挥重要作用。 总结 STW24N60DM2凭借其高耐压、低导通电阻以及出色的热性能，在多种电力电子应用中具有广泛适用性。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子领域，这款MOSFET都能提供可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A FDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW24N60DM2FDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW24N60DM2 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8.7 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1055pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-14582-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | STW24N60DM2 |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
