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FDA18N50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA18N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA18N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDA18N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 239W(Tc) TO-3PN。您可以下载FDA18N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA18N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDA18N50是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FDA18N50具有高电压耐受能力(500V击穿电压),适合用作开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地控制电流的通断,适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 在电机驱动应用中,FDA18N50可以用作功率级开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗,提高效率。 3. 逆变器 - 该器件可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,将直流电转换为交流电。其高耐压特性和快速开关能力使其非常适合这种高压环境。 4. 负载切换 - 在需要频繁切换负载的应用中,FDA18N50可以用作负载开关,确保电路在不同负载条件下的稳定运行。例如,在汽车电子系统中用于控制灯光、雨刷等设备的开启与关闭。 5. 过流保护 - 利用FDA18N50的限流功能,可以设计过流保护电路。当电流超过设定值时,MOSFET会自动关断以保护后端电路。 6. 电池管理系统(BMS) - 在电池管理系统中,FDA18N50可用作电池充放电路径的开关,控制电池的充电和放电过程,同时提供短路保护和过流保护功能。 7. 工业自动化 - 在工业自动化设备中,FDA18N50可作为固态继电器使用,替代传统的机械继电器,实现更快速、更可靠的开关操作。 8. 家用电器 - 该器件也可用于家用电器(如洗衣机、空调、冰箱等)中的功率控制模块,提供高效、稳定的性能。 总的来说,FDA18N50凭借其高电压、低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种需要高效功率控制和保护的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3PMOSFET 500V N-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA18N50UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDA18N50 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 239 W |
Pd-功率耗散 | 239 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 265 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 165 ns |
下降时间 | 90 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2860pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 265 毫欧 @ 9.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3P |
典型关闭延迟时间 | 95 ns |
功率-最大值 | 239W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 25 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
系列 | FDA18N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |