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Datasheet下载- 型号： STL60N10F7
- 制造商： STMicroelectronics
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STL60N10F7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL60N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL60N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTL60N10F7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 46A（Tc） 5W（Ta），72W（Tc） PowerFlat™（5x6）。您可以下载STL60N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL60N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL60N10F7是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电源适配器，因其低导通电阻和高效率特性，有助于提升整体能效并减少热量产生。 2. 电机控制：可用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供稳定的高电流开关能力。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动车辆、储能系统和便携式设备中，用于电池充放电控制和保护电路。 4. 照明系统：适用于LED照明驱动电路，尤其是高亮度LED或工业照明设备。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适合用于汽车应用，如车载充电器、车身控制模块和辅助电机驱动。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、游戏机和智能家电中的功率开关和电源管理模块。 该器件具备高耐压（100V）、大电流（60A）和低导通电阻（典型值为12mΩ）特性，适合高频开关操作，有助于减小系统体积并提升效率。采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL60N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL60N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 5 V |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| 上升时间 | 16.8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1640pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 6A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 其它名称 | 497-13879-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 72W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 46A （Tc） |
| 系列 | STL60N10F7 |
| 配置 | Single |
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