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  • 型号: FDMS5352
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDMS5352产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS5352由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS5352价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS5352封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 13.6A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS5352参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS5352 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13.6 A

Id-连续漏极电流

13.6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS5352PowerTrench®

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产品型号

FDMS5352

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6940pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

131nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.7 毫欧 @ 13.6A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS5352CT

典型关闭延迟时间

58 ns

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PQFN,Power56

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13.6A (Ta), 49A (Tc)

系列

FDMS5352

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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