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产品简介:
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FDB024N08BL7 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: FDB024N08BL7 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性可以降低功率损耗,提高效率,适合高效能的电源管理系统。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和耐压能力使其在电机驱动应用中表现出色。 3. 负载开关: 在消费电子、工业设备或汽车电子中,FDB024N08BL7 可用作负载开关,实现对不同负载的精确控制,同时减少功耗并保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理: 该 MOSFET 可用于电池充电和保护电路中,例如锂电池保护板。它能够通过快速响应电流变化来防止过充、过放或短路,确保电池的安全性和寿命。 5. 逆变器和变频器: 在小型逆变器或变频器中,FDB024N08BL7 可以作为开关元件,用于高频信号的切换,从而实现交流电与直流电之间的转换。 6. 汽车电子: 该器件符合车规级应用需求,可应用于汽车中的照明系统、电动座椅、电动车窗等场景,提供稳定可靠的开关功能。 7. 信号放大与缓冲: 在某些低功率信号处理电路中,FDB024N08BL7 可用作信号放大或缓冲元件,确保信号完整性的同时降低失真。 综上所述,FDB024N08BL7 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备、汽车电子以及新能源等领域,是一款多功能且高效的 MOSFET 器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDB024N08BL7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13530pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 178nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 100A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
其它名称 | FDB024N08BL7DKR |
功率-最大值 | 246W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |