Datasheet下载- 型号： IXTA2N100P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA2N100P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA2N100P价格参考。IXYSIXTA2N100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTA2N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA2N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA2N100P是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于电源管理和功率控制电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于高效能的电能转换与调节。 2. 电机控制：在直流电机驱动器或伺服控制系统中，作为功率开关控制电机的启停与转速。 3. 电池管理系统：用于电池充放电保护电路中，实现对电流流向的控制和过载保护。 4. 工业自动化设备：在PLC（可编程逻辑控制器）或工业继电控制系统中，作为高可靠性开关元件。 5. 汽车电子：如车载电源系统、照明控制、电动窗控制模块等。 6. 消费类电子产品：如高端音响、电源管理模块、智能家电等需要高效功率控制的场合。 该器件具有高耐压（1000V）、低导通电阻、快速开关特性，适用于高电压和中高功率应用。其封装形式为TO-263（表面贴装），便于在高密度PCB中使用，并具备良好的热稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTA2N100P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 655pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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