Datasheet下载- 型号： IRFR3103TR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3103TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3103TR价格参考。International RectifierIRFR3103TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3103TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3103TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRFR3103TR是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于电源管理和电机驱动等领域。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，作为高频开关元件，提高系统效率。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中，用于实现PWM调速与方向控制。 3. 负载开关：用作电子开关控制高功率负载，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动工具、电动车及储能系统中，用于电池充放电控制与保护。 5. 工业自动化设备：在PLC、变频器和伺服驱动器中，提供可靠的功率切换功能。 该器件采用表面贴装封装，适用于自动化装配，适合批量生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR3103TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
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