Datasheet下载- 型号： MR4A08BYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A08BYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A08BYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A08BYS35R封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 35ns 44-TSOP2。您可以下载MR4A08BYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A08BYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MR4A08BYS35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 8Mb（1Mb × 8）串行接口（SPI）自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。作为非易失性存储器，它兼具SRAM的高速读写、字节级寻址能力与Flash的断电数据永久保持特性。 典型应用场景包括： - 工业自动化与PLC系统：在宽温（–40°C 至 +85°C）、高振动、强电磁干扰环境中，替代EEPROM或NOR Flash，用于固件参数存储、运行日志记录及配置数据保存，实现毫秒级即时写入与无限次擦写。 - 网络通信设备：用于交换机、路由器中的控制平面缓存、MAC地址表备份及启动配置存储，避免传统NVSRAM的电池依赖和失效风险。 - 汽车电子：满足AEC-Q100 Grade 2要求（部分版本），适用于ADAS域控制器、车载网关中需快速掉电保存的关键状态信息（如故障码、校准参数）。 - 医疗设备与航空航天：在高可靠性、抗辐射、长寿命要求场景下，替代FRAM或BBSRAM，用于实时数据缓存与安全事件记录。 该器件采用35MHz SPI接口、3.3V供电，支持QSPI模式，具备硬件写保护与软件锁功能，兼顾性能、可靠性和设计简洁性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR4A08BYS35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 16M（2M x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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