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  • 型号: TK10J80E,S1E
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK10J80E,S1E由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10J80E,S1E价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10J80E,S1E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK10J80E,S1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK10J80E,S1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 TK10J80E, S1E 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于 功率控制和开关应用。

该MOSFET具有较高的耐压和电流能力,适用于以下典型应用场景:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的能量转换,尤其在需要高频率开关的场合表现优异。

2. 电机驱动:可用于直流电机或步进电机的驱动电路中,作为高速开关控制电机启停与方向。

3. 逆变器与变频器:在小型逆变器、变频器中用于功率调节,控制交流输出的频率与电压。

4. 工业自动化设备:作为功率开关用于PLC、工业控制模块中,控制大功率负载如继电器、电磁阀等。

5. 消费类电子产品:如高功率LED照明、充电器、电源适配器中,用于高效节能的电源设计。

该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于中高功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V TO-3PN

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10J80E

产品图片

产品型号

TK10J80E,S1E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 欧姆 @ 5A,10V

供应商器件封装

TO-3P(N)

其它名称

TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E

功率-最大值

250W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

标准包装

150

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Ta)

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