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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK10J80E,S1E由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10J80E,S1E价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10J80E,S1E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK10J80E,S1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK10J80E,S1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK10J80E, S1E 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于 功率控制和开关应用。 该MOSFET具有较高的耐压和电流能力,适用于以下典型应用场景: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的能量转换,尤其在需要高频率开关的场合表现优异。 2. 电机驱动:可用于直流电机或步进电机的驱动电路中,作为高速开关控制电机启停与方向。 3. 逆变器与变频器:在小型逆变器、变频器中用于功率调节,控制交流输出的频率与电压。 4. 工业自动化设备:作为功率开关用于PLC、工业控制模块中,控制大功率负载如继电器、电磁阀等。 5. 消费类电子产品:如高功率LED照明、充电器、电源适配器中,用于高效节能的电源设计。 该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于中高功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10J80E |
产品图片 | |
产品型号 | TK10J80E,S1E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | TO-3P(N) |
其它名称 | TK10J80E,S1E(S |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 150 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |