Datasheet下载- 型号： SIHU3N50D-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHU3N50D-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHU3N50D-E3价格参考。VishaySIHU3N50D-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHU3N50D-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHU3N50D-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHU3N50D-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器和开关电源（SMPS）：该器件具备高耐压（500V）和良好的导通电阻特性，适用于AC-DC和DC-DC转换器中的功率开关，提高转换效率并减小系统体积。 2. 电机驱动和控制：在工业自动化和电机控制设备中，SIHU3N50D-E3 可用于驱动直流电机或作为H桥电路的一部分，实现高效、快速的开关控制。 3. 照明系统：如LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于高频开关电路，支持高效率电源设计，满足节能要求。 4. 家电控制：用于洗衣机、空调、电磁炉等家用电器的功率控制模块中，实现对负载的高效开关控制。 5. 新能源系统：例如太阳能逆变器、储能系统等，该器件可在恶劣环境下稳定工作，适用于对可靠性要求较高的户外或工业场合。 该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能和高电流承载能力，适合高功率应用。同时，其内部集成快速恢复二极管，有助于减少外围元件数量，提高系统集成度与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAKMOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHU3N50D-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHU3N50D-E3SIHU3N50D-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | SIHU3N50D-E3CT |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3.2 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIHU3N50D-GE3 |
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