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Datasheet下载- 型号： SI7619DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7619DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7619DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7619DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7619DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7619DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7619DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7619DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 负载开关与电源管理：适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源切换，控制电池供电模块的启停，实现节能与过载保护。 2. 电机驱动与继电器替代：在小型电机、电磁阀或继电器电路中作为电子开关使用，具备响应速度快、寿命长的优势。 3. DC-DC 转换器与同步整流：用于电源转换电路中，提升转换效率，尤其适合低压输入、中等功率输出的应用环境。 4. 电池充电管理：在充放电回路中作为隔离与控制元件，防止反向电流及过流损坏系统。 5. 工业控制与自动化设备：用于 PLC、传感器模块、智能仪表等设备中，实现对各类负载的高效控制。 该器件具有低导通电阻、小封装、高可靠性等特点，适合空间受限且注重能效的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI7619DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7619DN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 27.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
