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SI5442DU-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5442DU-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5442DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5442DU-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® ChipFET 单通道。您可以下载SI5442DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5442DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5442DU-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于降压或升压转换器中的功率开关,提供高效的电压调节。 - 开关电源 (SMPS):在开关模式电源中作为主开关管,实现高效率的能量转换。 - 负载开关:用于动态控制电路中的负载通断,降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于消费电子、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。 - H 桥电路:用于双向电机控制,支持正转和反转功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电保护:通过快速开关特性,保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 - 电池均衡电路:用于多节电池组中的能量均衡,延长电池寿命。 4. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中用作低噪声信号切换开关。 - 数据线切换:在 USB 或其他高速数据接口中实现通道切换。 5. 汽车电子 - 车载电子系统:如车窗升降、雨刷控制、座椅调节等需要功率开关的应用。 - LED 驱动:用于汽车照明系统的 LED 驱动电路,提供稳定的电流输出。 6. 消费电子产品 - 笔记本电脑和移动设备:用于电源适配器、充电电路以及内部电源管理模块。 - 智能家居设备:如智能灯泡、智能插座等需要功率控制的场景。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高工作频率:适合高频开关应用,满足现代电子设备对速度的要求。 - 出色的热性能:能够在较高温度下稳定工作,适用于严苛环境。 综上,SI5442DU-T1-GE3 适用于各种需要高效功率控制和低损耗的场景,尤其在电源管理、电机驱动和电池管理系统中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFETMOSFET 20V 10mOhm@4.5V 25A N-Ch |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
Id-连续漏极电流 | 25 A |
品牌 | Vishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5442DU-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI5442DU-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 31 W |
Pd-功率耗散 | 31 W |
Qg-GateCharge | 16.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 16.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.4 V to 0.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.4 V to 0.9 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 8A, 4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFET 单通道 |
其它名称 | SI5442DU-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 31W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET Power MOSFET, PowerPAK , ChipFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 10 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 单 |
封装/箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Single |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 65 S |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 25 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
系列 | SI5442DU |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |