Datasheet下载- 型号： IRFR9024NTRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9024NTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9024NTRRPBF价格参考。International RectifierIRFR9024NTRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR9024NTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9024NTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFR9024NTRRPBF是一款单通道的MOSFET晶体管，具体为P沟道增强型器件。其应用场景主要集中在需要高效开关和低功耗的领域。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理： IRFR9024NTRRPBF适用于各种电源管理系统，例如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以降低功率损耗，提高整体效率。 2. 电机控制： 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，这款MOSFET可以用作开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池保护与管理： 由于其P沟道设计，IRFR9024NTRRPBF非常适合用于锂电池或其他可充电电池组中的保护电路，确保在过充、过放或短路情况下及时切断电流路径。 4. 逆变器和UPS系统： 在不间断电源（UPS）或小型逆变器中，该器件可用于切换交流电输出状态，同时保持较高的能量转换效率。 5. 消费电子设备： 包括智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品在内的消费类设备中，这款MOSFET常被用作负载开关或电源路径管理的一部分，以优化电池寿命并减少发热。 6. 汽车电子： 尽管具体参数需匹配车载环境要求，但类似规格的MOSFET广泛应用于车灯控制、窗升降机驱动及引擎管理等场合。 总之，IRFR9024NTRRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多需要高性能开关操作的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 350 pF |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 11A DPAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 11 A |
| Id-连续漏极电流 | - 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR9024NTRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9024NTRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Qg-GateCharge | 12.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 175 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 38W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfr9024n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfr9024n.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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