Datasheet下载- 型号： IPI14N03LA
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI14N03LA由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI14N03LA价格参考。InfineonIPI14N03LA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI14N03LA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI14N03LA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPI14N03LA是一款集成在智能功率封装中的N沟道MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件主要面向低电压应用，具有30V的漏源击穿电压和较高的导通性能，适用于需要高效率和紧凑设计的场景。 典型应用场景包括： 1. 电动工具与家用电器：用于电机驱动控制，如电钻、吸尘器、风扇等，其高开关速度和低导通电阻有助于提升能效并减少发热。 2. 电池供电设备：广泛应用于便携式电子产品，如电动自行车、电动滑板车、移动电源等，支持高效DC-DC转换和负载开关功能。 3. 工业控制与自动化：在小型电机控制、电磁阀驱动及继电器替代中表现出色，具备良好的热稳定性和可靠性。 4. 电源管理模块：适用于同步整流、电源开关和负载切换电路，尤其适合空间受限的高密度PCB设计。 IPI14N03LA采用PG-VSON-8封装，集成了优化的散热设计，便于贴装并提升功率密度。同时，该器件内建保护功能（如过温保护），增强了系统安全性。凭借英飞凌在功率半导体领域的技术优势，IPI14N03LA在能效、可靠性和集成度方面表现优异，是中小功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP14N03LA_Rev1.91_G.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304319bc939a0119be0a9bef0024 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI14N03LA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1043pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI14N03LAX |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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