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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STU4N52K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU4N52K3价格参考。STMicroelectronicsSTU4N52K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STU4N52K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STU4N52K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STU4N52K3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具备低导通电阻、高耐压和良好热性能,适用于对能效和可靠性要求较高的场景。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,提升转换效率,降低功耗。 2. 电机驱动:适用于电动工具、家用电器及工业设备中的电机控制电路。 3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统中用于充放电控制与保护。 4. 负载开关:用于智能负载切换和高侧/低侧开关控制。 5. 逆变器与变频器:在UPS、太阳能逆变器等设备中作为高频开关元件。 该MOSFET采用坚固的封装设计,适合在较恶劣环境下稳定运行,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAKMOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STU4N52K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STU4N52K3 |
Pd-PowerDissipation | 45 W |
Pd-功率耗散 | 45 W |
Qg-GateCharge | 11 nC |
Qg-栅极电荷 | 11 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 525 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 525 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 334pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 欧姆 @ 1.25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-12363 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251198?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 525V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
系列 | STU4N52K3 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |