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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8812NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8812NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8812NZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS8812NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8812NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8812NZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS):FDS8812NZ 的低导通电阻(Rds(on))和高开关速度使其非常适合用于开关电源中的同步整流或高频开关应用,能够提高效率并降低功耗。 2. 直流电机驱动:该器件适用于小型直流电机的驱动控制,例如在消费电子产品、玩具或家用电器中。其低导通电阻有助于减少电机运行时的功率损耗。 3. 负载开关:在便携式设备(如手机、平板电脑等)中,FDS8812NZ 可用作高效的负载开关,以实现快速的电路开启/关闭,并减少静态电流消耗。 4. 电池管理:此 MOSFET 常用于电池保护电路中,用于防止过充、过放或短路等情况。它的低导通电阻可以最大限度地减少电池充放电过程中的能量损失。 5. LED 驱动器:在 LED 照明应用中,FDS8812NZ 能够提供精确的电流控制,确保 LED 的亮度稳定且高效运行。 6. 信号切换:由于其出色的开关性能,这款 MOSFET 也可用于音频或视频信号的切换,保证信号传输的质量和稳定性。 7. 逆变器:在小型光伏逆变器或其他需要高频开关的应用中,FDS8812NZ 可以作为关键元件之一,帮助实现高效的能源转换。 总之,FDS8812NZ 凭借其优异的电气特性(如低 Rds(on)、高击穿电压和快速开关能力),广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景中,特别是在对体积和能耗有严格要求的小型化设计中表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDS8812NZ |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6925pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 126nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 20A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | FDS8812NZDKR |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta) |