Datasheet下载- 型号： CSD25304W1015T
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25304W1015T由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25304W1015T价格参考。Texas InstrumentsCSD25304W1015T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD25304W1015T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25304W1015T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD25304W1015T是Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道MOSFET，属于超小型、低电压、低导通电阻的功率MOSFET器件，采用1.5mm × 1.0mm WLCSP（晶圆级芯片封装）封装，适用于空间受限的便携式电子设备。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：由于其低导通电阻（Rds(on)典型值约30mΩ）和低栅极电荷，能有效降低功耗，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对能效和尺寸要求严苛的电池管理系统中。 2. 负载开关与电源管理：常用于DC-DC转换器、LDO后级负载开关，实现电源路径控制和快速开关功能，提升系统效率。 3. 电机驱动与LED驱动：适用于微型电机控制或高亮度LED的开关控制，因其响应速度快、发热小，有助于提高驱动稳定性。 4. 热插拔与过流保护电路：凭借快速的开关特性和良好的热性能，可用于防止电流冲击，保护敏感电路。 5. 物联网（IoT）终端设备：在传感器模块、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙）中作为高效开关元件，支持低功耗运行。 总体而言，CSD25304W1015T凭借其小尺寸、高效率和可靠性，特别适合高密度集成的便携式电子产品中的功率开关与电源管理应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CSD25304W1015T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 595pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32.5 毫欧 @ 1.5A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA |
| 其它名称 | 296-38024-1 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD25304W1015T |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，DSBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A（Ta） |
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