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IRLZ24NSTRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ24NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ24NSTRLPBF价格参考¥5.77-¥8.25。International RectifierIRLZ24NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK。您可以下载IRLZ24NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ24NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的晶体管型号IRLZ24NSTRLPBF属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单个器件类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源和DC-DC转换器 - IRLZ24NSTRLPBF具有低导通电阻(Rds(on))特性,适合用于高效能的开关电源设计。其在低压环境下表现出色,适用于降压或升压型DC-DC转换器。 - 应用场景包括笔记本电脑适配器、USB充电器以及便携式电子设备的电源管理。 2. 电机驱动与控制 - 该MOSFET可用于小型直流电机的驱动电路中,例如风扇、玩具电机或微型机器人等应用。 - 它能够快速切换并提供稳定的电流输出,同时减少功率损耗。 3. 负载开关 - 在需要动态开启或关闭某些电路模块时,IRLZ24NSTRLPBF可以用作负载开关。它支持快速响应时间,并且具备较低的电压降。 - 常见于智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中。 4. 电池保护与管理系统 - 此款MOSFET可以集成到电池组中以实现过流保护、短路保护及欠压锁定等功能。 - 特别适合锂离子电池或聚合物锂电池的安全管理方案。 5. 信号调节与放大 - 在一些低频信号处理场合下,该器件可用作信号调节元件来增强输入信号强度。 - 比如音频功放前置级增益设置或者传感器接口电路设计。 6. 汽车电子系统 - 尽管主要面向消费类市场,但凭借其稳定性和可靠性,IRLZ24NSTRLPBF也可应用于非关键性的车载电子部件,如车窗升降器控制单元、座椅调节机构等。 总结来说,Infineon Technologies的IRLZ24NSTRLPBF MOSFET因其优异的电气性能和紧凑封装形式,广泛适用于各类低电压、中小功率的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 480 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAKMOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ24NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ24NSTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 105 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 105 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 74 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRLZ24NSTRLPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlz24ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlz24ns.spi |
| 配置 | Single |