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Datasheet下载- 型号： SI3441BDV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI3441BDV-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3441BDV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3441BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3441BDV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 2.45A（Ta） 860mW（Ta） 6-TSOP。您可以下载SI3441BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3441BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3441BDV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件，提供高效的能量转换。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，实现快速的开启/关闭功能，同时减少功耗。 - 电池管理：适用于锂电池保护电路、充电控制和放电保护等场景。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：用于驱动风扇、泵或其他小型直流电机，提供高效的功率输出。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其低栅极电荷和快速开关特性，适用于需要高频信号切换的应用。 - 多路复用器：在多通道信号切换中，提供低损耗的路径选择。 4. 消费电子产品 - 笔记本电脑与平板电脑：用于电源适配器、内部电压调节和保护电路。 - 智能手机：作为功率开关或负载开关，优化设备的功耗和性能。 5. 工业应用 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：用于开关输出模块，控制外部设备的电源供应。 - 传感器接口：为传感器供电并处理信号切换。 6. 汽车电子 - 车载电子系统：用于信息娱乐系统、车窗升降器、座椅调节等低压控制电路。 - LED 照明驱动：在车内照明系统中，提供高效稳定的电流输出。 SI3441BDV-T1-E3 的低 Rds(on) 和小封装设计使其非常适合空间受限且对效率要求较高的应用场合。此外，其出色的热性能和可靠性也确保了在各种复杂环境下的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOPMOSFET 20V 2.9A 0.09Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.45 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.45 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3441BDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?72028 |
| 产品型号 | SI3441BDV-T1-E3SI3441BDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 860 mW |
| Pd-功率耗散 | 860 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3441BDV-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 860mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.45A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3441BDV-E3 |
