ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SSM3J332R,LF
Datasheet下载- 型号： SSM3J332R,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J332R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J332R,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J332R,LF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F。您可以下载SSM3J332R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3J332R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3J332R,LF 是东芝半导体与存储（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于低功耗、高效率的电源管理与开关控制场景。 该器件主要应用于便携式电子设备和电池供电系统，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备。其低导通电阻（RDS(on)）和小封装（如SOP-5或类似小型化封装）特性，使其非常适合空间受限且注重能效的设计。典型应用场景包括电源开关、负载开关、电池反向保护、DC-DC转换器中的同步整流以及各类信号切换电路。 由于其具备良好的热稳定性和快速开关响应能力，SSM3J332R,LF也广泛用于需要频繁启停或动态电源管理的系统中。例如，在主板上的电压域隔离、外设供电控制或热插拔电路中，它可有效防止电流倒灌和浪涌冲击。 此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，采用无铅设计，适合现代绿色电子产品制造。凭借东芝在半导体领域的可靠性口碑，SSM3J332R,LF在工业控制、消费电子和通信模块中均有广泛应用，是一款高性能、高性价比的P沟道功率MOSFET解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1AMOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J332R |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J332R,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J332R |
| 产品型号 | SSM3J332R,LFSSM3J332R,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 144 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 144 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23F |
| 其它名称 | SSM3J332RLFCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-23F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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