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  • 型号: IXFN32N60
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN32N60由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN32N60价格参考。IXYSIXFN32N60封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN32N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN32N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFN32N60是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件具有较高的电流和电压承受能力,通常用于需要高效能功率转换和控制的场合。

主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,适用于高效率、高频开关操作。

2. 电机驱动:用于工业自动化、伺服电机、步进电机的驱动电路中,提供高电流开关控制能力。

3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源中,用于将直流电转换为交流电。

4. 工业控制:在工业自动化控制系统中,作为功率开关元件使用,控制大功率负载的通断。

5. 电动车与充电设备:应用于电动车的充电模块、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分。

6. 照明系统:如LED大功率照明驱动电源中,用于高效能调光与电源管理。

该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(600V)、高电流能力(32A)等特性,适合用于中高功率应用。其封装形式通常为TO-247,便于散热和安装,适用于多种工业级工作环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFN32N60

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

325nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

250 毫欧 @ 500mA,10V

供应商器件封装

SOT-227B

功率-最大值

520W

包装

管件

安装类型

底座安装

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

标准包装

10

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A

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