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产品简介:
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IXYS品牌的IXFN32N60是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件具有较高的电流和电压承受能力,通常用于需要高效能功率转换和控制的场合。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,适用于高效率、高频开关操作。 2. 电机驱动:用于工业自动化、伺服电机、步进电机的驱动电路中,提供高电流开关控制能力。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源中,用于将直流电转换为交流电。 4. 工业控制:在工业自动化控制系统中,作为功率开关元件使用,控制大功率负载的通断。 5. 电动车与充电设备:应用于电动车的充电模块、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分。 6. 照明系统:如LED大功率照明驱动电源中,用于高效能调光与电源管理。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(600V)、高电流能力(32A)等特性,适合用于中高功率应用。其封装形式通常为TO-247,便于散热和安装,适用于多种工业级工作环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFN32N60 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 325nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-227B |
功率-最大值 | 520W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 10 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A |