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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB10N20CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB10N20CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB10N20CTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB10N20CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB10N20CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB10N20CTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQB10N20CTM 的高电压耐受能力(最大漏源极电压 VDS = 200V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 应用包括离线式电源适配器、充电器以及 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 该器件可作为电机驱动电路中的开关元件,适用于小型直流电机或步进电机的控制。 - 其低导通电阻(RDS(on) = 1.4Ω,典型值)有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器和转换器 - 在太阳能逆变器或电池管理系统 (BMS) 中,FQB10N20CTM 可用于高频开关操作,实现高效的电能转换。 - 它的快速开关特性和低栅极电荷(Qg = 9nC,典型值)能够降低开关损耗。 4. 负载开关 - 用于控制负载的接通与断开,特别是在需要高电压隔离的应用中。 - 例如汽车电子系统中的负载保护或工业设备中的动态负载管理。 5. 电磁阀和继电器驱动 - FQB10N20CTM 可以驱动电磁阀或小型继电器,提供足够的电流容量(ID = 1A,连续工作)和耐压能力。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或限流电路中,该 MOSFET 可用作开关元件,确保系统的安全运行。 7. 音频功放 - 在某些低功率音频放大器中,FQB10N20CTM 可作为输出级开关元件,实现高效的声音信号放大。 特性总结: - 耐压能力:适合高压应用环境。 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。 - 快速开关特性:适用于高频电路。 - 紧凑封装:TO-252 (DPAK) 封装节省空间,便于设计。 综上所述,FQB10N20CTM 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,尤其是在需要高效功率转换和控制的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB10N20CTM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 4.75A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 72W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Tc) |