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  • 型号: SI4435DDY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4435DDY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4435DDY-T1-E3价格参考。VishaySI4435DDY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 11.4A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4435DDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4435DDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOICMOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.1 A

Id-连续漏极电流

8.1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si4435DDY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

Si4435DDY-T1-E3SI4435DDY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

24 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

24 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns, 35 ns

下降时间

12 ns, 16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1350pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 9.1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4435DDY-T1-E3CT

典型关闭延迟时间

45 ns, 40 ns

功率-最大值

5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

24 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

8.1 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.4A (Tc)

系列

SI4435DDY

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4435DDY-E3

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