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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3455-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3455-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH3455-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH3455-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3455-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3455-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,用于高效能电源设计; 2. 负载开关:用于控制电源到负载的通断,如在电池供电设备中实现节能; 3. 马达驱动:适用于小型电机控制电路中的开关元件; 4. 照明系统:如LED驱动电路中作为开关使用; 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的电源管理模块; 6. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的开关电源和控制电路。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高频开关应用,且封装小巧,适合高密度电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 35V 3A CPH3MOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH3455-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CPH3455-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 108 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 108 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 35 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 35 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 186pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 104 毫欧 @ 1.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 封装/箱体 | CPH-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
| 系列 | CPH3455 |
| 配置 | Single |